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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  JANTX1N5552軍級(jí)標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管Microsemi 現(xiàn)貨供應(yīng) 2025-01-13 08:58:58

  Microsemi公司生產(chǎn)的軍用級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管JANTX1N5552，屬JEDEC注冊(cè)的1N5550至1N5554系列，適用于高可靠性應(yīng)用場(chǎng)合。其性能參數(shù)涵蓋結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度、熱阻等多項(xiàng)指標(biāo)。主要特點(diǎn)有密封玻璃封裝、四層鈍化技術(shù)、內(nèi)部冶金鍵合，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)且有RoHS合規(guī)商業(yè)級(jí)版本，是標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)5A整流器，具備高前向浪涌電流能力等多種優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括軍事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器應(yīng)用場(chǎng)景。封裝類型有通孔封裝和表面貼裝封裝 。